民生證券發(fā)布研究報(bào)告稱(chēng)，存儲(chǔ)龍頭SK海力士和三星Q2財(cái)報(bào)環(huán)比好轉(zhuǎn)，得益于AI服務(wù)器上量。展望Q3，隨著減產(chǎn)力度加大，行業(yè)庫(kù)存調(diào)整，需求逐步復(fù)蘇，存儲(chǔ)出貨量有望上升。該行指出，存儲(chǔ)周期拐點(diǎn)共識(shí)已逐漸形成，且AI帶動(dòng)HBM、DDR5需求，將加速板塊上行。模組廠方面，建議關(guān)注德明利(001309.SZ)、江波龍(301308.SZ)、朗科科技(300042.SZ)等。設(shè)備材料+封測(cè)方面，建議關(guān)注雅克科技(002409.SZ)、深科技(000021.SZ)、精智達(dá)(688627.SH)等。芯片方面，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新(603986.SH)、東芯股份(688110.SH)、北京君正(300223.SZ)、普冉股份(688766.SH)、恒爍股份(688416.SH)等。

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民生證券主要觀點(diǎn)如下：

Q2業(yè)績(jī)優(yōu)于預(yù)期，預(yù)計(jì)23Q3情況向好。

存儲(chǔ)龍頭SK海力士和三星均分別于7月26日和7月27日披露了23年Q2財(cái)報(bào)。其中SK海力士Q2營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)43.59%，超預(yù)期，毛利率為-16.12%，環(huán)比提升16.21pct;三星Q2存儲(chǔ)業(yè)務(wù)營(yíng)收8.97兆韓元，環(huán)比增長(zhǎng)1%。環(huán)比好轉(zhuǎn)，得益于AI服務(wù)器上量，HBM等為代表的高密度/高性能產(chǎn)品需求強(qiáng)勁。

展望Q3，隨著減產(chǎn)力度加大，行業(yè)庫(kù)存調(diào)整，需求逐步復(fù)蘇，存儲(chǔ)出貨量有望上升。SK海力士預(yù)計(jì)DRAM產(chǎn)品出貨量環(huán)比增長(zhǎng)約10-15%，NAND產(chǎn)品出貨量持平Q2。三星同樣預(yù)計(jì)DRAM出貨量環(huán)比增長(zhǎng)10%以上，但NAND出貨量環(huán)比增長(zhǎng)中高個(gè)位數(shù)，超出市場(chǎng)水平。

需求：PC、手機(jī)市場(chǎng)需求漸進(jìn)回暖，AI服務(wù)器帶動(dòng)HBM旺盛需求。

服務(wù)器方面，SK海力士預(yù)計(jì)，2023年128GB及以上大容量DDR5服務(wù)器模組及HBM產(chǎn)品銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)兩倍以上，并于2024年持續(xù)增長(zhǎng);三星預(yù)計(jì)，受益于服務(wù)器存儲(chǔ)庫(kù)存不斷消耗，DDR4和DDR5的訂單有望在下半年有所改善。PC和智能手機(jī)方面，雖然智能手機(jī)復(fù)蘇依舊乏力，但環(huán)比來(lái)看，下半年新機(jī)發(fā)售，旗艦產(chǎn)品對(duì)LPDDR5需求增加，有望推動(dòng)下半年產(chǎn)品售價(jià)有所改善。

供給：海外龍頭削減資本開(kāi)支，存儲(chǔ)周期拐點(diǎn)已現(xiàn)。

資本開(kāi)支方面，SK海力士資本開(kāi)支于FY22Q3開(kāi)始持續(xù)下降，23年資本開(kāi)支同比將下降50%以上，三星也表示將在23年下半年繼續(xù)削減產(chǎn)能。由于NAND價(jià)格反彈將晚于DRAM，兩家廠商對(duì)NAND減產(chǎn)力度更大。庫(kù)存方面，SK海力士23Q2庫(kù)存環(huán)比減少4.44%;三星表示DRAM和NAND的庫(kù)存已于5月份達(dá)到峰值，目前處于迅速下降狀態(tài)。

新品：海外大廠加速高端產(chǎn)品研發(fā)，HBM、DDR5群雄逐鹿。

HBM方面，SK海力士24GB HBM3E產(chǎn)品已經(jīng)送樣，且預(yù)計(jì)2026年HBM4將應(yīng)用于市場(chǎng)，三星的8層16Gb和12層24Gb HBM3產(chǎn)品已經(jīng)開(kāi)始向主要的AI SoC等公司出貨，并計(jì)劃于23年下半年推出HBM3E。美光也于7月26日發(fā)布了業(yè)界首款8層24GB HBM3 Gen2內(nèi)存芯片，該產(chǎn)品采用S1b DRAM工藝節(jié)點(diǎn)，性能提高50%。DDR5方面，SK海力士基于1b nm制程的服務(wù)器DDR5產(chǎn)品正在驗(yàn)證中，相比上一代產(chǎn)品功耗降低20%以上;三星計(jì)劃今年內(nèi)推出32Gb DDR5產(chǎn)品，美光也計(jì)劃于2024年量產(chǎn)采用1b工藝的32Gb DDR5產(chǎn)品。

投資建議：存儲(chǔ)周期拐點(diǎn)共識(shí)已逐漸形成，且AI帶動(dòng)HBM、DDR5需求，將加速板塊上行。模組廠方面，建議關(guān)注德明利、江波龍、朗科科技等。設(shè)備材料+封測(cè)方面，建議關(guān)注雅克科技、深科技、精智達(dá)等。芯片方面，建議關(guān)注兆易創(chuàng)新、東芯股份、北京君正、普冉股份、恒爍股份等。

風(fēng)險(xiǎn)提示：下游市場(chǎng)復(fù)蘇不及預(yù)期;存儲(chǔ)原廠減產(chǎn)不及預(yù)期

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