據(jù)日經(jīng)新聞周二報(bào)道，日本政府5月23日正式宣布，把尖端半導(dǎo)體制造設(shè)備等23個(gè)品類列入出口管理限制對象名單。經(jīng)過兩個(gè)月的公示期之后，該限制措施預(yù)計(jì)于7月23日生效。

規(guī)定生效后，這23個(gè)品類除了向友好國等42個(gè)國家和地區(qū)出口外，均需要單獨(dú)得到批準(zhǔn)。

(資料圖片)

本次限制主要針對高端半導(dǎo)體制造設(shè)備，包括極紫外（EUV）相關(guān)產(chǎn)品的制造設(shè)備和三維堆疊存儲(chǔ)器的蝕刻設(shè)備等。按運(yùn)算用邏輯半導(dǎo)體的性能來看，均屬于制造電路線寬在10～14納米以下的尖端產(chǎn)品所需設(shè)備。

據(jù)半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo)梳理，新增的清單包括曝光、刻蝕、成膜等六大類半導(dǎo)體設(shè)備：

熱處理相關(guān)（1類）

在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，對銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W）（任何一種元素）進(jìn)行回流（Reflow）的“退火設(shè)備（Anneal）”。

檢測設(shè)備（1類）

EUV曝光方向的光掩膜版（Mask Blanks）的檢測設(shè)備、或者“帶有線路的掩膜”的檢測設(shè)備。

曝光相關(guān)（4類）

1.用于EUV曝光的護(hù)膜（Pellicle）。

2.用于EUV曝光的護(hù)膜（Pellicle）的生產(chǎn)設(shè)備。

3.用于EUV曝光的光刻膠涂覆、顯影設(shè)備（Coater Developer）。

4.用于處理晶圓的步進(jìn)重復(fù)式、步進(jìn)掃描式光刻機(jī)設(shè)備（光源波長為193納米以上、且光源波長乘以0.25再除以數(shù)值孔徑得到的數(shù)值為45及以下）。（按照筆者的計(jì)算，尼康的ArF液浸式曝光設(shè)備屬于此次管控范圍，干蝕ArF以前的曝光設(shè)備不在此范圍。）

干法清洗設(shè)備、濕法清洗設(shè)備（3類）

1.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下，除去高分子殘?jiān)⒀趸~膜，形成銅膜的設(shè)備。

2.在除去晶圓表面氧化膜的前道處理工序中所使用的、用于干法蝕刻（Dry Etch）的多反應(yīng)腔(Multi-chamber)設(shè)備。

3.單片式濕法清洗設(shè)備（在晶圓表面性質(zhì)改變后，進(jìn)行干燥）。

蝕刻（3類）

1.屬于向性蝕刻 (Isotropic Etching)設(shè)備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的選擇比為100以上的設(shè)備；屬于異向性(Anisotropic Etching)刻蝕設(shè)備，且含高頻脈沖輸出電源，以及含有切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥和靜電吸盤（Chuck）的設(shè)備。

2.濕法蝕刻設(shè)備，且硅鍺（SiGe）和硅（Si）的蝕刻選擇比為100以上。

3.為異向性蝕刻設(shè)備，且蝕刻介電材料的蝕刻尺寸而言，蝕刻深度與蝕刻寬度的比率大于30倍、而且蝕刻幅寬度低于100納米。含有高速脈沖輸出電源、切換時(shí)間不足300m秒的高速切換閥的設(shè)備。

成膜設(shè)備（11類）

1.如下所示的各類成膜設(shè)備。*利用電鍍形成鈷（Co）膜的設(shè)備。

利用電鍍形成鈷（Co）膜的設(shè)備。

利用自下而上（Bottom-up）成膜技術(shù)，填充鈷（Co）或者鎢（W）時(shí)，填充的金屬的空隙、或者接縫的最大尺寸為3納米以下的CVD設(shè)備。

在同一個(gè)腔體（Chamber）內(nèi)進(jìn)行多道工序，形成金屬接觸層（膜）的設(shè)備、氫（或者含氫、氮、氨混合物）等離子設(shè)備、在維持晶圓溫度為100度一一500度的同時(shí)、利用有機(jī)化合物形成鎢（W）膜的設(shè)備。

可保持氣壓為0.01Pa以下真空狀態(tài)（或者惰性環(huán)境）的、含多個(gè)腔體的、可處理多個(gè)工序的成膜設(shè)備，以及下面的所有工序中所使用的金屬接觸層成膜設(shè)備：（1）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機(jī)金屬化合物，形成氮化鈦層膜或者碳化鎢層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用濺射工藝，形成鈷（Co）層膜的工藝。（3）在維持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機(jī)金屬化合物，形成鈷（Co）層膜的工藝。

利用以下所有工藝形成銅線路的設(shè)備。（1）在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，在壓力為133.3Pa一一13.33kPa的范圍內(nèi)，利用有機(jī)金屬化合物，形成鈷（Co）層膜、或者釕（Ru）層膜的工藝。（2）在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，在壓力為0.1333Pa一一13.33Pa的范圍內(nèi)，利用PVD技術(shù)，形成銅（Cu）層膜的工藝。

利用金屬有機(jī)化合物，有選擇性地形成阻障層（Barrier）或者Liner的ALD設(shè)備。

在保持晶圓溫度低于500度的同時(shí)，為了使絕緣膜和絕緣膜之間不產(chǎn)生空隙（空隙的寬度和深度比超過五倍，且空隙寬度為40納米以下），而填充鎢（W）或者鈷（Co）的ALD設(shè)備

2.在壓力為0.01Pa以下的真空狀態(tài)下(或者惰性環(huán)境下)，不采用阻障層（Barrier），有選擇性地生長鎢（W）或者鉬（Mo）的成膜設(shè)備。

3.在保持晶圓溫度為20度一一500度的同時(shí)，利用有機(jī)金屬化合物，形成釕（Ru）膜的設(shè)備。

4.“空間原子層沉積設(shè)備（僅限于支持與旋轉(zhuǎn)軸晶圓的設(shè)備）”，以下皆屬于限制范圍。（1）利用等離子，形成原子層膜。（2）帶等離子源。（3）具有將等離子體封閉在等離子照射區(qū)域的“等離子屏蔽體（Plasma Shield）”或相關(guān)技術(shù)手法。

5.可在400度一一650度溫度下成膜的設(shè)備，或者利用其他空間（與晶圓不在同一空間）內(nèi)產(chǎn)生的自由基(Radical)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，從而形成薄膜的設(shè)備，以下所有可形成硅（Si）或碳（C）膜的設(shè)備屬于限制出口范圍：（1）相對介電常數(shù)（Relative Permittivity）低于5.3。（2）對水平方向孔徑部分尺寸不滿70納米的線路而言，其與線路深度的比超過五倍。（3）線路的線距（Pitch）為100納米以下。

6.利用離子束（Ion Beam）蒸鍍或者物理氣相生長法(PVD)工藝，形成多層反射膜(用于極紫外集成電路制造設(shè)備的掩膜)的設(shè)備。

7．用于硅（Si）或者硅鍺（SiGe）（包括添加了碳的材料）外延生長的以下所有設(shè)備屬于管控范圍。（1）擁有多個(gè)腔體，在多個(gè)工序之間，可以保持0.01Pa以下的真空狀態(tài)（或者在水和氧的分壓低于0.01Pa的惰性環(huán)境）的設(shè)備。（2）用于半導(dǎo)體前段制程，帶有為凈化晶圓表面而設(shè)計(jì)的腔體的設(shè)備。（3）外延生長的工作溫度在685度以下的設(shè)備。

8.可利用等離子技術(shù)，形成厚度超過100納米、而且應(yīng)力低于450MPa的碳硬掩膜（Carbon Hard Mask）的設(shè)備。

9.可利用原子層沉積法或者化學(xué)氣相法，形成鎢（W）膜（僅限每立方厘米內(nèi)氟原子數(shù)量低于10¹⁹個(gè)）的設(shè)備。

10.為了不在金屬線路之間（僅限寬度不足25納米、且深度大于50納米）產(chǎn)生間隙，利用等離子形成相對介電常數(shù)（Relative Permittivity）低于3.3的低介電層膜的等離子體成膜設(shè)備。

11.在0.01Pa以下的真空狀態(tài)下工作的退火設(shè)備，通過再回流（Reflow）銅（Cu）、鈷（Co）、鎢（W），使銅線路的空隙、接縫最小化，或者使其消失。

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