（原標(biāo)題：大基金二期再出手 士蘭微廈門(mén)基地又獲12億元增資）

(相關(guān)資料圖)

時(shí)隔18個(gè)月后，士蘭微(600460)廈門(mén)基地再獲國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司（下稱(chēng)“大基金二期”）增資。

4個(gè)月前，士蘭微還官宣聯(lián)手大基金二期21億元增資公司成都基地。大基金二期在短短18個(gè)月內(nèi)，先后三次增資，對(duì)士蘭微廈門(mén)和成都兩個(gè)生產(chǎn)基地的合計(jì)增資額將達(dá)到19.5億元。

聯(lián)手大基金二期增資

8月28日晚，士蘭微公告稱(chēng)，公司擬與大基金二期、廈門(mén)海創(chuàng)發(fā)展基金合伙企業(yè)（有限合伙）（籌）（下稱(chēng)“海創(chuàng)發(fā)展基金”），以貨幣方式共同出資12億元認(rèn)繳關(guān)聯(lián)參股公司廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（下稱(chēng)“士蘭明鎵”）本次新增注冊(cè)資本11.9億元。

士蘭明鎵成立于2018年2月，此次增資前，廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司持有65.28%，士蘭微持有34.72%。

根據(jù)此次增資約定，士蘭微出資7.50億元，大基金二期以自有資金出資3.50億元，海創(chuàng)發(fā)展基金以自有資金出資1億元，士蘭明鎵另一方股東廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司放棄同比例增資的權(quán)利。增資完成后，士蘭微將取得士蘭明鎵的控制權(quán)，持股比例將從原來(lái)的34.72%增至48.16%，大基金二期將持有士蘭明鎵14.11%股權(quán)。

大基金二期二度增資廈門(mén)基地

士蘭微廈門(mén)生產(chǎn)基地的打造，可以追溯到5年多前，即2017年12月，士蘭微與廈門(mén)市海滄區(qū)人民政府簽署的《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。

根據(jù)當(dāng)時(shí)協(xié)議約定，士蘭微與廈門(mén)半導(dǎo)體共同投資設(shè)立了兩家實(shí)施主體：廈門(mén)士蘭集科微電子有限公司（下稱(chēng)“士蘭集科”）和廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司。其中廈門(mén)士蘭集科產(chǎn)品定位為功率半導(dǎo)體器件、模擬集成電路及相關(guān)產(chǎn)品。廈門(mén)士蘭明鎵定位于包括第三代化合物功率半導(dǎo)體、先進(jìn)化合物器件、高端LED芯片等產(chǎn)品。

在此次增資士蘭明鎵前，大基金二期還于去年增資了士蘭集科。

士蘭微2022年2月公告顯示，公司與大基金二期以貨幣方式共同出資8.85億元，其中，士蘭微出資2.85億元，大基金二期出資6億元，同時(shí)，士蘭集科另一方股東廈門(mén)半導(dǎo)體放棄優(yōu)先認(rèn)購(gòu)權(quán)。

上述增資完成后，士蘭集科的持股比例由廈門(mén)半導(dǎo)體和士蘭微分別持股85%和15%變更為廈門(mén)半導(dǎo)體、士蘭微和大基金二期分別持股66.63%、18.72%和14.65%。

完善車(chē)規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體布局

士蘭明鎵于2022年7月啟動(dòng)了“SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”。該項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元，建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)，最終將形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬(wàn)片/年、SiC-SBD芯片2.4萬(wàn)片/年。

實(shí)際上，此次士蘭微對(duì)士蘭明鎵的7.5億元增資事項(xiàng)，是公司去年定增的募投項(xiàng)目之一，此舉意味著士蘭微將加快推進(jìn)SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)。

2022年10月，士蘭微發(fā)布定增預(yù)案，公司擬向特定對(duì)象發(fā)行不超過(guò)2.83億股A股股票，募集資金總額不超過(guò)65億元，其中7.5億元用于實(shí)施“SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”，并明確“SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”通過(guò)公司參股公司士蘭明鎵具體實(shí)施，募集資金將通過(guò)公司向士蘭明鎵增資的方式投入?！癝iC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”其他資金將通過(guò)公司自籌的方式解決。

據(jù)悉，我國(guó)SiC等電力電子器件產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展較晚，加之技術(shù)門(mén)檻高、投入大，我國(guó)現(xiàn)階段SiC功率半導(dǎo)體器件的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)幾乎被歐美、日本IDM 半導(dǎo)體廠商所壟斷，國(guó)內(nèi)前十大SiC功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商均為外企。

包括SiC器件在內(nèi)的功率器件在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，加之國(guó)產(chǎn)新能源車(chē)產(chǎn)業(yè)蓬勃興起，使得車(chē)用功率器件的進(jìn)口替代空間巨大?；赟iC功率器件產(chǎn)品市場(chǎng)的增長(zhǎng)、新能源汽車(chē)行業(yè)需求的增加，加快SiC功率器件產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)替代化已經(jīng)成為行業(yè)共識(shí)。

士蘭微稱(chēng)，若此次增資事項(xiàng)能夠順利實(shí)施，將為士蘭明鎵“SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，有利于加快實(shí)現(xiàn)公司SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，完善公司在車(chē)規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力，有利于抓住當(dāng)前新能源汽車(chē)領(lǐng)域的發(fā)展契機(jī)，推動(dòng)公司主營(yíng)業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng)。

自研車(chē)規(guī)產(chǎn)品已向比亞迪、吉利等批量供貨

對(duì)上述項(xiàng)目的接連增資，不僅體現(xiàn)了國(guó)家大基金二期對(duì)士蘭微IDM模式的支持，也體現(xiàn)了士蘭微發(fā)揮IDM模式優(yōu)勢(shì)，加快汽車(chē)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能建設(shè)的決心。

士蘭微廈門(mén)基地之外，其在成都的基地也獲得了大基金二期的增資。

今年3月，士蘭微董事會(huì)審議通過(guò)了《關(guān)于與大基金二期共同向成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司增資暨關(guān)聯(lián)交易的議案》，公司與大基金二期共同出資21 億元，其中士蘭微出資11億元，大基金出資10億元。

據(jù)悉，士蘭微擬通過(guò)控股子公司成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司（以下 簡(jiǎn)稱(chēng)“成都士蘭”）投資建設(shè)“汽車(chē)半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期）”（原項(xiàng)目名稱(chēng) 為“年產(chǎn)720 萬(wàn)塊汽車(chē)級(jí)功率模塊封裝項(xiàng)目”），項(xiàng)目總投資為30億元。增資事項(xiàng)若順利實(shí)施，將為控股子公司成都士蘭“汽車(chē)半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目 （一期）”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障，有利于加快實(shí)現(xiàn)士蘭微汽車(chē)級(jí)功率模塊的產(chǎn)業(yè)化。

根據(jù)去年10月士蘭微定增預(yù)案，上述汽車(chē)半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目（一期），擬通過(guò)控股子公司成都士蘭具體實(shí)施，其中使用募集資金投資 11億元。

數(shù)據(jù)顯示，2023年上半年，士蘭微IGBT（包括IGBT器件和PIM模塊）的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到5.9億元，較去年同期增長(zhǎng)300%以上。

士蘭微2023年半年報(bào)顯示，基于公司自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已在比亞迪、吉利、零跑、匯川等國(guó)內(nèi)外多家客戶(hù)實(shí)現(xiàn)批量供貨；公司用于汽車(chē)的IGBT器件（單管）、MOSFET器件（單管）已實(shí)現(xiàn)大批量出貨，公司用于光伏的IGBT器件（單管）、逆變控制模塊、SiC MOS器件也實(shí)現(xiàn)批量出貨。公司正在加快汽車(chē)級(jí)IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽車(chē)級(jí)功率模塊（PIM）產(chǎn)能的建設(shè)，預(yù)計(jì)今后公司IGBT器件、PIM模塊、SiC-MOS器件等產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)收入將快速成長(zhǎng)。

另外，半年報(bào)還顯示，士蘭微已完成第二代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類(lèi)器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平?；诠咀灾餮邪l(fā)的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已通過(guò)部分客戶(hù)測(cè)試，爭(zhēng)取在今年三季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。

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