大基金二期再出手 士蘭微廈門基地又獲12億元增資
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時(shí)隔18個(gè)月后,士蘭微(600460)廈門基地再獲國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(下稱“大基金二期”)增資。
4個(gè)月前,士蘭微還官宣聯(lián)手大基金二期21億元增資公司成都基地。大基金二期在短短18個(gè)月內(nèi),先后三次增資,對(duì)士蘭微廈門和成都兩個(gè)生產(chǎn)基地的合計(jì)增資額將達(dá)到19.5億元。
聯(lián)手大基金二期增資
8月28日晚,士蘭微公告稱,公司擬與大基金二期、廈門海創(chuàng)發(fā)展基金合伙企業(yè)(有限合伙)(籌)(下稱“海創(chuàng)發(fā)展基金”),以貨幣方式共同出資12億元認(rèn)繳關(guān)聯(lián)參股公司廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司(下稱“士蘭明鎵”)本次新增注冊(cè)資本11.9億元。
士蘭明鎵成立于2018年2月,此次增資前,廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司持有65.28%,士蘭微持有34.72%。
根據(jù)此次增資約定,士蘭微出資7.50億元,大基金二期以自有資金出資3.50億元,海創(chuàng)發(fā)展基金以自有資金出資1億元,士蘭明鎵另一方股東廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司放棄同比例增資的權(quán)利。增資完成后,士蘭微將取得士蘭明鎵的控制權(quán),持股比例將從原來(lái)的34.72%增至48.16%,大基金二期將持有士蘭明鎵14.11%股權(quán)。
大基金二期二度增資廈門基地
士蘭微廈門生產(chǎn)基地的打造,可以追溯到5年多前,即2017年12月,士蘭微與廈門市海滄區(qū)人民政府簽署的《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。
根據(jù)當(dāng)時(shí)協(xié)議約定,士蘭微與廈門半導(dǎo)體共同投資設(shè)立了兩家實(shí)施主體:廈門士蘭集科微電子有限公司(下稱“士蘭集科”)和廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司。其中廈門士蘭集科產(chǎn)品定位為功率半導(dǎo)體器件、模擬集成電路及相關(guān)產(chǎn)品。廈門士蘭明鎵定位于包括第三代化合物功率半導(dǎo)體、先進(jìn)化合物器件、高端LED芯片等產(chǎn)品。
在此次增資士蘭明鎵前,大基金二期還于去年增資了士蘭集科。
士蘭微2022年2月公告顯示,公司與大基金二期以貨幣方式共同出資8.85億元,其中,士蘭微出資2.85億元,大基金二期出資6億元,同時(shí),士蘭集科另一方股東廈門半導(dǎo)體放棄優(yōu)先認(rèn)購(gòu)權(quán)。
上述增資完成后,士蘭集科的持股比例由廈門半導(dǎo)體和士蘭微分別持股85%和15%變更為廈門半導(dǎo)體、士蘭微和大基金二期分別持股66.63%、18.72%和14.65%。
完善車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體布局
士蘭明鎵于2022年7月啟動(dòng)了“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。該項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元,建設(shè)一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線,最終將形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能,其中SiC-MOSFET芯片12萬(wàn)片/年、SiC-SBD芯片2.4萬(wàn)片/年。
實(shí)際上,此次士蘭微對(duì)士蘭明鎵的7.5億元增資事項(xiàng),是公司去年定增的募投項(xiàng)目之一,此舉意味著士蘭微將加快推進(jìn)SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)。
2022年10月,士蘭微發(fā)布定增預(yù)案,公司擬向特定對(duì)象發(fā)行不超過(guò)2.83億股A股股票,募集資金總額不超過(guò)65億元,其中7.5億元用于實(shí)施“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”,并明確“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”通過(guò)公司參股公司士蘭明鎵具體實(shí)施,募集資金將通過(guò)公司向士蘭明鎵增資的方式投入?!癝iC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”其他資金將通過(guò)公司自籌的方式解決。
據(jù)悉,我國(guó)SiC等電力電子器件產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展較晚,加之技術(shù)門檻高、投入大,我國(guó)現(xiàn)階段SiC功率半導(dǎo)體器件的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)幾乎被歐美、日本IDM 半導(dǎo)體廠商所壟斷,國(guó)內(nèi)前十大SiC功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商均為外企。
包括SiC器件在內(nèi)的功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛,加之國(guó)產(chǎn)新能源車產(chǎn)業(yè)蓬勃興起,使得車用功率器件的進(jìn)口替代空間巨大?;赟iC功率器件產(chǎn)品市場(chǎng)的增長(zhǎng)、新能源汽車行業(yè)需求的增加,加快SiC功率器件產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)替代化已經(jīng)成為行業(yè)共識(shí)。
士蘭微稱,若此次增資事項(xiàng)能夠順利實(shí)施,將為士蘭明鎵“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障,有利于加快實(shí)現(xiàn)公司SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化,完善公司在車規(guī)級(jí)高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局,增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力,有利于抓住當(dāng)前新能源汽車領(lǐng)域的發(fā)展契機(jī),推動(dòng)公司主營(yíng)業(yè)務(wù)持續(xù)成長(zhǎng)。
自研車規(guī)產(chǎn)品已向比亞迪、吉利等批量供貨
對(duì)上述項(xiàng)目的接連增資,不僅體現(xiàn)了國(guó)家大基金二期對(duì)士蘭微IDM模式的支持,也體現(xiàn)了士蘭微發(fā)揮IDM模式優(yōu)勢(shì),加快汽車半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能建設(shè)的決心。
士蘭微廈門基地之外,其在成都的基地也獲得了大基金二期的增資。
今年3月,士蘭微董事會(huì)審議通過(guò)了《關(guān)于與大基金二期共同向成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司增資暨關(guān)聯(lián)交易的議案》,公司與大基金二期共同出資21 億元,其中士蘭微出資11億元,大基金出資10億元。
據(jù)悉,士蘭微擬通過(guò)控股子公司成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司(以下 簡(jiǎn)稱“成都士蘭”)投資建設(shè)“汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目(一期)”(原項(xiàng)目名稱 為“年產(chǎn)720 萬(wàn)塊汽車級(jí)功率模塊封裝項(xiàng)目”),項(xiàng)目總投資為30億元。增資事項(xiàng)若順利實(shí)施,將為控股子公司成都士蘭“汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目 (一期)”的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)提供資金保障,有利于加快實(shí)現(xiàn)士蘭微汽車級(jí)功率模塊的產(chǎn)業(yè)化。
根據(jù)去年10月士蘭微定增預(yù)案,上述汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目(一期),擬通過(guò)控股子公司成都士蘭具體實(shí)施,其中使用募集資金投資 11億元。
數(shù)據(jù)顯示,2023年上半年,士蘭微IGBT(包括IGBT器件和PIM模塊)的營(yíng)業(yè)收入已達(dá)到5.9億元,較去年同期增長(zhǎng)300%以上。
士蘭微2023年半年報(bào)顯示,基于公司自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,已在比亞迪、吉利、零跑、匯川等國(guó)內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨;公司用于汽車的IGBT器件(單管)、MOSFET器件(單管)已實(shí)現(xiàn)大批量出貨,公司用于光伏的IGBT器件(單管)、逆變控制模塊、SiC MOS器件也實(shí)現(xiàn)批量出貨。公司正在加快汽車級(jí)IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽車級(jí)功率模塊(PIM)產(chǎn)能的建設(shè),預(yù)計(jì)今后公司IGBT器件、PIM模塊、SiC-MOS器件等產(chǎn)品的營(yíng)業(yè)收入將快速成長(zhǎng)。
另外,半年報(bào)還顯示,士蘭微已完成第二代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開(kāi)發(fā),性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平?;诠咀灾餮邪l(fā)的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊,已通過(guò)部分客戶測(cè)試,爭(zhēng)取在今年三季度實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。
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